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skywalkersn金虫 (初入文坛)
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[求助]
能带计算和态密度不符合 已有3人参与
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各位好!!求助一个问题: 对于一个吸附结构,我在充分弛豫和静态计算后,进行了态密度和能带结构的计算,经过收敛性测试,k点也选的足够。 接着出现了一个问题: 我画出了DOS图和bandstructure图,其中,能带图中带隙不为零,显示为半导体;而态密度图中费米能级处有电子态出现,显示为导体,这种不匹配的情况该怎么解释? 另外,我将态密度计算中的vaspxml文件导入p4vasp中,画出的态密度图和能带结构图也存在上述问题,明明是同一个文件,做出来的图为什么不匹配?。。这说明并不是能带计算或者态密度计算错误引起的问题,这种情况该怎么解释?求助各位有经验的大神指点一二! |
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skywalkersn
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路径没错。。我是这么设置的。 另外感觉您懂得好多,所以想请教一个问题,我的体系是用二硫化钼吸附有机分子。静态计算后,用bader程序做电荷转移的定量计算,结果显示,电子是由二硫化钼向有机分子转移,也就是说,有机分子在这里作为n型半导体得电子,二硫化钼失去了电子,变成p型半导体,按理来说,能带计算后,费米能级应该在杂志能级之下,也就是俗称的p型掺杂导致费米能级向价带移动,可是我的费米能级非但没向下移动,反而渗透进了导带,成了强n型。电荷转移和能带结构都是基于vasp计算得到的,也都收敛了,为什么会出现这种不自洽呢,好苦恼。虽然知道bader不一定准,但是好几个文献计算的吸附其它有机分子用的也是bader,结果至少是自洽的(电荷转移和能带结构),这种情况该怎么办呢,求大神指点一二。。。 |
16楼2016-06-20 15:47:25
未岸亡灵
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2楼2016-05-30 15:47:19
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3楼2016-06-12 23:27:58
未岸亡灵
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