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清清欢欢

新虫 (初入文坛)

[求助] 半导体薄膜中多种载流子的测试问题 已有2人参与

对于多载流子体系的半导体薄膜，利用什么方法可以得到其中不同类型的载流子浓度及迁移率呢？有大神做过相关课题吗？谢谢了！
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1楼 2016-05-23 21:03:18
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小山田心子

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
这个是可以测试的，利用霍尔仪器可以测试
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2楼2016-05-26 14:22:59
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琦玉老师

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
3楼2016-05-27 15:24:51
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uiojhi

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 琦玉老师 at 2016-05-27 15:24:51
多在流体，不就是空穴和电子两种嘛，可以做一个场效应晶体管器件来计算。

意思是先做n型再做p型进行测试，分别计算迁移率？
   我觉得楼主的意思是不是里面有好几种可以提供载流子的材料，想计算单独每种材料提供迁移率的大小。
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4楼2016-05-27 21:56:45
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伽鲁特

至尊木虫 (著名写手)
薄膜的话用霍尔就能测，包括面电阻率，体电阻率，霍尔系数，面载流子浓度，体载流子浓度和迁移率

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5楼2016-05-27 22:42:47
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清清欢欢

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by uiojhi at 2016-05-27 21:56:45
意思是先做n型再做p型进行测试，分别计算迁移率？
   我觉得楼主的意思是不是里面有好几种可以提供载流子的材料，想计算单独每种材料提供迁移率的大小。...

嗯，我的意思就是一种材料中有多种载流子，既有空穴，又有电子，而且可能电子和空穴的种类还可能有多种，比如说薄膜中电子可能是本身的电子，也可能是衬底和薄膜之间形成的二维电子气，这样的话，可利用什么方法来测试呢？
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6楼2016-05-30 13:17:24
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清清欢欢

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 伽鲁特 at 2016-05-27 22:42:47
薄膜的话用霍尔就能测，包括面电阻率，体电阻率，霍尔系数，面载流子浓度，体载流子浓度和迁移率

咱们一般的霍尔，测出来的是一个综合的平均数值，如果，薄膜里面既有电子，又有空穴，想知道电子和空穴对整个平均结果的贡献，该怎么测呢？
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7楼2016-05-30 13:19:05
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清清欢欢

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 小山田心子 at 2016-05-26 14:22:59
这个是可以测试的，利用霍尔仪器可以测试

霍尔测的是一个综合的结果，咱们一般默认n型的主要是电子，p型的是空穴，但如果电子和空穴浓度数量级相差不大，想要分别测出来其浓度及迁移率，该怎么测呢？
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8楼2016-05-30 13:21:04
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xiwa09

新虫 (正式写手)
据说变温霍尔可以把少子和多子区分开来测

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9楼2016-05-30 13:41:21
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小山田心子

木虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by 清清欢欢 at 2016-05-30 13:21:04
霍尔测的是一个综合的结果，咱们一般默认n型的主要是电子，p型的是空穴，但如果电子和空穴浓度数量级相差不大，想要分别测出来其浓度及迁移率，该怎么测呢？...

我记得半导体物理里面有关于载流子的计算，时间太长我忘记了，楼主可以看看，我记得是一定温度下，电子和空穴的乘积是一个常数，如果能测出来一个，应该是能算出来另一个的
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10楼2016-05-30 14:06:42
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