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nano_st

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[交流] 请教光电流法确定半导体能带结构，谢谢

最近用光电流法确定半导体能带结构，遇到了一些麻烦，呵呵，说到底是自己知识面不够啊，呵呵，望高手指点，万分感谢：）
我的方法和理解是把研究的半导体粉末固定到ITO电极后再0.1 M KCl溶液中不同偏压下进行光电流测试（on和off），用光on的时候电流减去光off的时候的电流得到光电流，最后做光电流和不同偏压的关系。在光电流为0的偏压为平带电位。假如得到如图1，即为n-type，平带电位近似为导带位置，而band gap已经通过紫外的方法确定，即可得到能带结构；或者得到图2，即为p-type，平带电位近似为价带位置，同理也能得到能带结构。
可是我现在得到的是图3，阳极电流和阴极电流都有，似乎既是n也是p；或者说是intrincsic的，那么该平带电位是否可以近似为导带和价带一半的位置处的电位？不知intrinsic的半导体在溶液界面的光电流和偏压的关系如何，几乎很多文献和书只谈n和p各是什么样的，也没有我的这种情形，还望大家不吝赐教，谢谢！

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1楼 2008-10-29 17:31:24

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nano_st

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引用回帖:

Originally posted by hxj6021 at 2008-10-30 13:39:
请教楼上的，为何要用锁相放大技术？他光电流也不小啊，虽然图上没标出，但用mA做单位，总不会太小吧。另外，如果用锁相放大技术的话，那光源不也得调制？

谢谢您帮我分析数据，呵呵，现在光电流还没有做到那么大，呵呵，我的实验中，在不同电位处，分别使得光源（150W Xe lamp，波长大于420nm）on和off，得到的光电流为（on的时候电流值）减去（off时候的电流值）（规定氧化电流为正）。目前光电流大小在uA/cm2,在加入空穴捕获剂，光电流增大20倍。对比空白实验中，即仅仅ITO电极，光电流相对于有样品的时候，几乎可以忽略。所以我认为是光电流源于样品。

等做到mA级我感觉我就发了，呵呵，快赶上TiO2了，呵呵

由于初入光电化学，很多不懂，还请高手指点，万分感谢！