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[交流]
请教光电流法确定半导体能带结构，谢谢
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最近用光电流法确定半导体能带结构，遇到了一些麻烦，呵呵，说到底是自己知识面不够啊，呵呵，望高手指点，万分感谢：） 我的方法和理解是把研究的半导体粉末固定到ITO电极后再0.1 M KCl溶液中不同偏压下进行光电流测试（on和off），用光on的时候电流减去光off的时候的电流得到光电流，最后做光电流和不同偏压的关系。在光电流为0的偏压为平带电位。假如得到如图1，即为n-type，平带电位近似为导带位置，而band gap已经通过紫外的方法确定，即可得到能带结构；或者得到图2，即为p-type，平带电位近似为价带位置，同理也能得到能带结构。 可是我现在得到的是图3，阳极电流和阴极电流都有，似乎既是n也是p；或者说是intrincsic的，那么该平带电位是否可以近似为导带和价带一半的位置处的电位？不知intrinsic的半导体在溶液界面的光电流和偏压的关系如何，几乎很多文献和书只谈n和p各是什么样的，也没有我的这种情形，还望大家不吝赐教，谢谢！ |
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 光催化 | 好文章 | mott-schottky |
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3楼2008-10-30 13:39:12
fuelcell.xjtu
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nano_st(金币+8,VIP+0):谢谢您的建议！
nano_st(金币+8,VIP+0):谢谢您的建议！
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从你的描述来看你没有使用锁相放大技术，你的光电流数量级在图中也没有说明，所以我怀疑你测试过程的准确性。不方便公开说明的话可发信至我的信箱：fuelcell.xjtu@gmail.com。 如果你需要平带电位的话，可以通过测量电极的MS曲线获得，同时还可以获得你的半导体是否为p、n型的信息。 |
2楼2008-10-30 12:23:37
fuelcell.xjtu
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4楼2008-10-30 14:28:54
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谢谢您的帮助：） 我的确没有使用锁相放大技术，因为实验条件有限，就用了一个150W的Xe lamp，加上一个滤光片得到420nm以上的可见光，然后从ITO背面（非导电玻璃面）照射在涂有带研究粉末的ITO电极上。我的实验中，分别在不同电位处，分别使得光on和off，得到的光电流为（on的时候电流值）减去（off时候的电流值）（规定氧化电流为正）。目前光电流大小在uA/cm2,在加入空穴捕获剂，光电流增大20倍。对比空白实验中，即仅仅ITO电极，光电流相对于有样品的时候，几乎可以忽略。所以我认为是光电流源于样品。 我看了一些文献，这种方式实际上是看产生光电流的onset电位，认为该onset电位和平带电位一致 我也试过用光谱电化学的方法和MS，但是没有得到有用的数据，这可能与我的材料有关系，导电性太差，此外膜制备的不是太均匀，紫外散射严重，所以这可能是光谱电化学的方法和MS法不理想的原因，呵呵 由于初入光电化学，很多不懂，还请高手指点，万分感谢！ [ Last edited by nano_st on 2008-11-3 at 05:29 ] |
5楼2008-11-03 05:25:43
