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Litter_horsr银虫 (小有名气)
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[求助]
有关电场调控带隙的计算的一些疑问
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现阶段计算的一种范德瓦耳斯异质结，有Pb原子，因此考虑加自旋轨道耦合（SOC），采用DFT-D3修正范德华力 有与计算资源限制，不能进行杂化泛函计算 测试计算结果还算满意，电场对异质结的调控，基本遵循Stacking effects 在实际算过的时候，一直不尽人意，求解原因！计算过程如下： 第一次：对初始结构进行优化，scf，在scf的基础上进行计算Eb 前几届的师兄说，可以再scf的基础上进行加电场，直接计算能带，于是就直接用scf的电荷密度，只是再计算能带的时候，加电场。结果如下： 这时候出现了问题： 在电场为0.3左右，发现拐点，就是结果变化非常快！考虑为电子结构变化，因此做Charge density difference 和partial charge density，但是拐点附近基本上没有变化！ 第二次：网上很多教程说计算电场，需要考虑加电场之后结果变化，于是就考虑加电场之后，重新优化结构 按照教程，例如 ， 计算电场为0.04时，使用电场为0.02 再scf时候的CHGCAR和WAVECAR，继续进行结构优化计算（ISTART=1,ICHARG=1） 结果更为失望：带隙变化如下： 看到结果直接崩溃！！！还不如不优化！！！！！ 我的问题如下： 1.电场到底要怎样计算？过程是…… 2.计算电场的时候，因为要考虑的问题比较多，我的计算加上的SOC+电场+vdw等，已经考虑到vdw需要使用DFT-D3类进行非共线计算。这个计算时候，有没有什么需要注意的？ 3. Charge density difference 和partial charge density在进行SOC计算的时候，需要特别的参数么？求支招…… 已经临近崩溃的小学研究生…… |
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2楼2016-05-03 23:33:59
Litter_horsr
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