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Litter_horsr

银虫 (小有名气)

[求助] 有关电场调控带隙的计算的一些疑问

现阶段计算的一种范德瓦耳斯异质结,有Pb原子,因此考虑加自旋轨道耦合(SOC),采用DFT-D3修正范德华力
有与计算资源限制,不能进行杂化泛函计算
测试计算结果还算满意,电场对异质结的调控,基本遵循Stacking effects
在实际算过的时候,一直不尽人意,求解原因!计算过程如下:
第一次:对初始结构进行优化,scf,在scf的基础上进行计算Eb
前几届的师兄说,可以再scf的基础上进行加电场,直接计算能带,于是就直接用scf的电荷密度,只是再计算能带的时候,加电场。结果如下:

这时候出现了问题:
在电场为0.3左右,发现拐点,就是结果变化非常快!考虑为电子结构变化,因此做Charge density difference 和partial charge density,但是拐点附近基本上没有变化!

第二次:网上很多教程说计算电场,需要考虑加电场之后结果变化,于是就考虑加电场之后,重新优化结构
按照教程,例如 , 计算电场为0.04时,使用电场为0.02 再scf时候的CHGCAR和WAVECAR,继续进行结构优化计算(ISTART=1,ICHARG=1)
结果更为失望:带隙变化如下:


看到结果直接崩溃!!!还不如不优化!!!!!

我的问题如下:
1.电场到底要怎样计算?过程是……
2.计算电场的时候,因为要考虑的问题比较多,我的计算加上的SOC+电场+vdw等,已经考虑到vdw需要使用DFT-D3类进行非共线计算。这个计算时候,有没有什么需要注意的?
3. Charge density difference 和partial charge density在进行SOC计算的时候,需要特别的参数么?求支招……


已经临近崩溃的小学研究生……
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想好好学习的,一般妒能
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obaica

禁言 (著名写手)

本帖内容被屏蔽

2楼2016-05-03 23:33:59
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Litter_horsr

银虫 (小有名气)

希望大咖出现哈
想好好学习的,一般妒能
3楼2016-05-04 09:02:47
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Litter_horsr

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by obaica at 2016-05-03 23:33:59
帮顶~

谢谢哈
想好好学习的,一般妒能
4楼2016-05-04 09:03:01
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iamikaruk

木虫 (著名写手)

图看不到啊,另外看到SOC就头大
剃刀法则,先把SOC和结构优化去掉看结果如何。
然后再加入结构优化,最后考虑SOC
[img]http://osu.ppy.sh/stat2/iamikaruk-0.png[/img]
5楼2016-05-04 10:29:12
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爱睡觉的小虫

木虫 (正式写手)

明日复明日,明日何其多
6楼2016-05-08 17:13:59
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13574803316

新虫 (正式写手)

请问,DFT-D3,如何确定INCAR里S6,S8,SR的值?

发自小木虫IOS客户端
7楼2018-06-06 13:57:49
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十足女神

新虫 (小有名气)

8楼2018-07-29 15:09:17
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