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关于直接半导体和间接半导体的问题 已有1人参与
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除了能带上的差别，在其他方面这二者的差别都会体现在哪些方面？ 发自小木虫IOS客户端 |
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2楼2016-04-10 08:52:21
3楼2016-04-10 11:04:03
wallacegznu
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直接带隙半导体材料天然满足能量守恒以及动量守恒条件，制作成光电器件的时候，只要入射光的能量大于禁带宽度就可以使得价带电子跃迁至导带。但是间接带隙半导体材料不满足动量守恒的条件，当入射光的能量大于禁带宽度时，还需要声子参加作用，才能使得动量守恒。由于多了声子参加作用，所以发光效率就降低了，这就是为什么多用砷化镓（直接带隙）而不是硅（间接带隙）来制作发光器件的原因。 发自小木虫Android客户端 |
4楼2016-04-10 19:58:37
wallacegznu
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根据玻尔兹曼分布条件可知，导带上能量越高的状态被电子占据的几率就越小，导带底能量最低，因此电子从价带顶跃迁至导带底的几率最大，可以认为几乎电子都占据导带底状态。 发自小木虫Android客户端 |
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rbysdzyga5楼2016-04-10 20:05:04
6楼2016-04-10 20:35:47
wallacegznu
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在发光效率上有很大差别。间接带隙半导体，例如硅，在制造工艺上很成熟，制造硅单晶的成本要远小于制造砷化镓的成本。砷化镓基材料应用在光电，高速，功率器件的场合比较多。硅基材料多应用于大规模集成电路。 发自小木虫Android客户端 |
7楼2016-04-10 22:09:49
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9楼2016-04-12 18:15:41
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