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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » CdSe量子点的荧光峰问题
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1979409595

新虫 (初入文坛)

[求助] CdSe量子点的荧光峰问题 已有1人参与

哪位大神能帮忙分析一下合成的CdSe后面那个大宽峰是什么原因造成的啊？

CdSe量子点的荧光峰问题
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1楼 2016-03-31 20:34:33
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1979409595

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by nanotricks at 2016-04-01 10:58:57
后面那个宽峰是典型的缺陷发射了，528nm 是带边发射，也就是导带到价带的发射，
缺陷发射主要来源于Se空位表面缺陷到价带的发射，表面缺陷能级位于导带的下方，所以缺陷发射的能量比带边发射小了，表现为红移。这个 ...

非常感谢您的回答，您上面提到带边发射，我一直搞不清楚带边发射与近带边发射的区别，您能再帮我解释一下吗？
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5楼2016-04-04 10:27:04
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lzu_alice

金虫 (小有名气)
问问题至少要说清楚激发光波长是多少

发自小木虫Android客户端
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2楼2016-03-31 22:21:22
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1979409595

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by lzu_alice at 2016-03-31 22:21:22
问问题至少要说清楚激发光波长是多少

我用的360的激发光去激发的，不过也试过用其他比如370 380 390 400 410 的光激发， 峰形都不变
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3楼2016-04-01 08:35:56
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nanotricks

新虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
后面那个宽峰是典型的缺陷发射了，528nm 是带边发射，也就是导带到价带的发射，
缺陷发射主要来源于Se空位表面缺陷到价带的发射，表面缺陷能级位于导带的下方，所以缺陷发射的能量比带边发射小了，表现为红移。这个缺陷发射的荧光寿命比较长，一般上百纳秒，
也消除这个缺陷发射，只能在QD的外面长CdS或者ZnS 壳层，
消除表面缺陷。
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4楼2016-04-01 10:58:57
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