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CdSe量子点的荧光峰问题
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CdSe量子点的荧光峰问题
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哪位大神能帮忙分析一下合成的CdSe后面那个大宽峰是什么原因造成的啊?
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1楼
2016-03-31 20:34:33
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lzu_alice
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问问题至少要说清楚激发光波长是多少
发自小木虫Android客户端
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2楼
2016-03-31 22:21:22
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2楼
:
Originally posted by
lzu_alice
at 2016-03-31 22:21:22
问问题至少要说清楚激发光波长是多少
我用的360的激发光去激发的,不过也试过用其他比如370 380 390 400 410 的光激发, 峰形都不变
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3楼
2016-04-01 08:35:56
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nanotricks
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【答案】应助回帖
感谢参与,应助指数 +1
后面那个宽峰是典型的缺陷发射了,528nm 是带边发射,也就是导带到价带的发射,
缺陷发射主要来源于Se空位表面缺陷到价带的发射,表面缺陷能级位于导带的下方,所以缺陷发射的能量比带边发射小了,表现为红移。这个缺陷发射的荧光寿命比较长,一般上百纳秒,
也消除这个缺陷发射,只能在QD的外面长CdS或者ZnS 壳层,
消除表面缺陷。
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4楼
2016-04-01 10:58:57
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专业: 凝聚态物性 II :电子结构
引用回帖:
4楼
:
Originally posted by
nanotricks
at 2016-04-01 10:58:57
后面那个宽峰是典型的缺陷发射了,528nm 是带边发射,也就是导带到价带的发射,
缺陷发射主要来源于Se空位表面缺陷到价带的发射,表面缺陷能级位于导带的下方,所以缺陷发射的能量比带边发射小了,表现为红移。这个 ...
非常感谢您的回答,您上面提到带边发射,我一直搞不清楚带边发射与近带边发射的区别,您能再帮我解释一下吗?
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5楼
2016-04-04 10:27:04
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