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寂寞的根号贰

新虫 (初入文坛)

[求助] 成核问题计算

制备光纤需要在 1200oC 沉积 SiO 2 ,假设该温度下气相中(均匀成核)生成
的球形 SiO 2 颗粒直径为 50nm,而 SiO 2 的表面能为 1 J/m 2 , 请估计此生长条件下
的过饱和度。
求详细解答!谢谢!

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