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成核问题计算
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制备光纤需要在 1200oC 沉积 SiO 2 ，假设该温度下气相中（均匀成核）生成 的球形 SiO 2 颗粒直径为 50nm,而 SiO 2 的表面能为 1 J/m 2 , 请估计此生长条件下 的过饱和度。 求详细解答！谢谢！ 发自小木虫Android客户端 |
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