| 查看: 602 | 回复: 1 | |||
1154606018新虫 (小有名气)
|
[求助]
正斜角台面终端用PECVD 淀积SIO2做钝化层，而后光刻刻... 已有1人参与
|
|
正斜角台面终端用PECVD 淀积SIO2做钝化层，而后光刻刻蚀掉SIO2,发现耐压急剧变低可能是什么原因? 补充:刻蚀SIO2后发现斜面的SIO2变薄，且槽面SIO2上仍有光刻胶掩膜 希望能给提供一些帮助，万分感谢 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开？
已经有1人回复
-
求助两种BiOBr晶体的CIF文件（卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 ）
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有173人回复
-
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
-
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件，或者CCDC号
已经有0人回复
-
河北大学-26年秋季入学申请考核制-化学博士1名
已经有0人回复
-
XPS/?λXPS
已经有0人回复
exciting73 
金虫 (著名写手)
- 应助: 110 (高中生)
- 金币: 579.9
- 红花: 20
- 帖子: 1785
- 在线: 272.7小时
- 虫号: 1946276
- 注册: 2012-08-19
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
2楼2016-04-02 19:57:06