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正斜角台面终端用PECVD 淀积SIO2做钝化层，而后光刻刻蚀掉SIO2,发现耐压急剧变低可能是什么原因? 补充:刻蚀SIO2后发现斜面的SIO2变薄，且槽面SIO2上仍有光刻胶掩膜 希望能给提供一些帮助，万分感谢 发自小木虫Android客户端 |
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2楼2016-04-02 19:57:06
