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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 前沿热点 » 【请教】用3：1的H2SO4/H2O2能否除去硅片上的氧化层
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miraclebelie

金虫 (正式写手)

[交流] 【请教】用3：1的H2SO4/H2O2能否除去硅片上的氧化层

请教，用3：1的H2SO4/H2O2能否除去硅片上的氧化层
一般硅片自然形成的氧化层有多厚啊?
除去后放在空气中多长时间又能生成氧化层？

各位大虾帮帮忙，谢啦
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1楼 2008-10-13 21:37:43
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topgun1118

银虫 (小有名气)
下载查过了，链接没有问题
文件比较大，不太好发哦
换个时间试试，速度还是不错哦的
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4楼2008-10-18 08:45:42
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liuwei2004

至尊木虫 (著名写手)
★
miraclebelie(金币+1,VIP+0):谢谢，那清洗后的硅片在空气中放多长时间又会生成氧化层?
我们用过硫酸和HF除去硅片上的氧化层 ，比例好像也是3：1，你可以都试一下。
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2楼2008-10-14 10:51:48
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topgun1118

银虫 (小有名气)
★
miraclebelie(金币+1,VIP+0):你有这本书的pdf么，能否发给我，我下不了，我的邮箱gaoyan8533@gmail.com
http://www.amazon.com/Handbook-S ... ology/dp/0815513313
This book may work
DL link:
http://www.filefactory.com/file/ ... ning_Technology_rar
赞一下 回复此楼
3楼2008-10-14 11:26:48
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