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场效应晶体管底栅问题已有2人参与
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第一次做三端器件，有时候测出的MOSFET的转移特性曲线非常奇怪，直接就是一条线性的伏安特性曲线。个人感觉是栅压没有加在垂直于沟道的方向，从系列输出特性曲线看，VGS是直接叠加在了VDS上。但不知道原因在哪？源漏极和底部的栅极并没有直接接触呀？真的不明白栅压从哪里漏走了，不知道各位虫友有没有遇到过这种情况？求各位路过的大神答疑解惑！ 注：Fig 1:器件结构 Fig 2:没做栅极时测的IV输出特性曲线（类似背靠背的二极管） Fig 3和Fig 4：奇怪的系列输出特性和转移特性  Fig 1.png  Fig.2.png  Fig. 3.png  Fig 4.png |
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3楼2019-01-16 18:50:26
hmimyboy
铁杆木虫 (著名写手)
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2楼2019-01-07 13:57:19
dearmaximus
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4楼2019-10-16 16:13:06
送红花一朵|
您说的非常有道理! 我后面考虑了一下，可以确定是您说的第二个原因。我在保证电极和基底不接触后，是可以测出正常的转移特性曲线。但是没有测出明显的开关态（-20V到20V，加大范围感觉也没戏），而且拟合出的迁移率也很低。所以FET还是搞不定 发自小木虫Android客户端 |
5楼2019-10-30 19:17:27
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