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【调剂】北京石油化工学院2024年16个专业接受调剂
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Y Du

铁虫 (小有名气)

[求助] 场效应晶体管底栅问题已有2人参与

第一次做三端器件,有时候测出的MOSFET的转移特性曲线非常奇怪,直接就是一条线性的伏安特性曲线。个人感觉是栅压没有加在垂直于沟道的方向,从系列输出特性曲线看,VGS是直接叠加在了VDS上。但不知道原因在哪?源漏极和底部的栅极并没有直接接触呀?真的不明白栅压从哪里漏走了,不知道各位虫友有没有遇到过这种情况?求各位路过的大神答疑解惑!
注:Fig 1:器件结构  Fig 2:没做栅极时测的IV输出特性曲线(类似背靠背的二极管)  Fig 3和Fig 4:奇怪的系列输出特性和转移特性

场效应晶体管底栅问题
Fig 1.png


场效应晶体管底栅问题-1
Fig.2.png


场效应晶体管底栅问题-2
Fig. 3.png


场效应晶体管底栅问题-3
Fig 4.png
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hmimyboy

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

最后一个图 ID为什么有负值
你SD电极用的是什么材料
2楼2019-01-07 13:57:19
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Imloser

新虫 (小有名气)

同做TFT,也是一头雾水,这个栅极不知道该怎么解决

发自小木虫Android客户端
3楼2019-01-16 18:50:26
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dearmaximus

金虫 (正式写手)

迷途小书童/二手科学家

【答案】应助回帖

源漏电极在镀膜(如果是金,溅射功率大,热处理温度高)的时候有可能进入绝缘层并向栅极扩散导通了,或者是基底的侧面有金属沟通了源漏栅极。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

4楼2019-10-16 16:13:06
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Y Du

铁虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by dearmaximus at 2019-10-16 16:13:06
源漏电极在镀膜(如果是金,溅射功率大,热处理温度高)的时候有可能进入绝缘层并向栅极扩散导通了,或者是基底的侧面有金属沟通了源漏栅极。

您说的非常有道理! 我后面考虑了一下,可以确定是您说的第二个原因。我在保证电极和基底不接触后,是可以测出正常的转移特性曲线。但是没有测出明显的开关态(-20V到20V,加大范围感觉也没戏),而且拟合出的迁移率也很低。所以FET还是搞不定

发自小木虫Android客户端
5楼2019-10-30 19:17:27
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星空的物语

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by Y Du at 2019-10-30 19:17:27
您说的非常有道理! 我后面考虑了一下,可以确定是您说的第二个原因。我在保证电极和基底不接触后,是可以测出正常的转移特性曲线。但是没有测出明显的开关态(-20V到20V,加大范围感觉也没戏),而且拟合出的迁移率 ...

楼主您的基底侧面与金属电极接触是怎么样一个情况呢,是如何形成的呢,求解,你后面晶体管有做出来吗
6楼2021-03-18 13:42:03
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Z780283717

新虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by 星空的物语 at 2021-03-18 13:42:03
楼主您的基底侧面与金属电极接触是怎么样一个情况呢,是如何形成的呢,求解,你后面晶体管有做出来吗...

就是边缘横截面有金属,导致连接了

发自小木虫Android客户端
7楼2024-03-01 12:19:31
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