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pn结耗尽层宽度计算
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各位大牛，小弟请教一个很弱的问题。关于pn结耗尽层厚度计算方面的。 根据pn结的耗尽模型，我觉得耗尽层公式当中所谓的Na应该等于自由载流子密度，而非掺杂受主浓度。 可是，最近投一篇文章，算了耗尽层宽度，其他三个审稿人都没提到这个问题，就一个审稿人说我算的不对，应该是受主的浓度，而非自由载流子密度。 在GaN、ZnO等材料的p型掺杂中，自由空穴浓度和受主浓度差了至少一个量级的，所以这两者算出来的耗尽层厚度会差的非常多。 我看了半天耗尽层模型，感觉怎么着都是自由载流子密度，虽然所有教科书上都写受主浓度，但这些公司毕竟都是在硅材料基础上写的，没有具体考虑到GaN等材料的特性。 不知我说的是否有道理，请各位指教。 另外，如果被我说中了，那我该怎么谨慎回复审稿人呢？多谢啦！！ [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
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