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scuedu2

金虫 (小有名气)

[求助] 功函数 已有1人参与

功函数做的和文献不一样  下面这个差值,文献大概是3.5eV左右, 还有真空能级有褶皱,添加了VDW,不清楚什么原因,大家有遇到过类似的问题么,谢谢

下面是INCAR
# control
SYSTEM=SiC
SYMPREC=5E-4
ISTART=0
ICHARG=2
LCHARG=.T.
LWAVE=.F.
LREAL=Auto
NPAR=4
GGA = BO
PARAM1 = 0.1833333333
PARAM2 = 0.2200000000
LUSE_VDW = .TRUE.
AGGAC = 0.0000
EDIFF=1E-5
ISMEAR=-5
SIGMA=0.2
PREC=N
ENCUT=400
EDIFFG=-0.01
LVTOT=.TRUE.
#LVHAR=.TRUE.

功函数
H~XZS5[U{BR1Q@X6F33LBAF.jpg
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scuedu2

金虫 (小有名气)

引用回帖:
10楼: Originally posted by 卡开发发 at 2016-02-14 10:11:15
恩,仅仅增大真空层而不是扩大z方向的平移,截断能也测试一下吧。...

文献上是>15埃,400eV,我算的时候是20埃,400eV.后来增大了10埃,算出来还是没什么变化啊前辈。

发自小木虫Android客户端
11楼2016-02-16 11:46:23
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scuedu2

金虫 (小有名气)

我计算的两层之间差值大概是3eV,还有问题就是,这个静电势和功函数一样么?静电势两层之间的这个差值和什么有关呢?我的VASP版本是5.2,如果把LVHAR=.TRUE.,打开,褶皱没有了,但是下面两层之间的差值变成了0.5eV左右
2楼2016-02-02 10:52:14
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。。 2016-02-16 06:44:49
vdw的计算来说表面确实薄了点,可能两层的间距落在了vdW的衰减范围之内;上下表面不对称计算功函数应当加上偶极校正;以以往使用vdW-DF的情况来看400eV也许偏低。

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不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
4楼2016-02-07 01:36:18
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不取俗名

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。。 2016-02-16 06:44:57
皱着的话,我自己做过对比,我觉得可能是supercell太小造成的,你可以放大,效果会很好

发自小木虫Android客户端

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

5楼2016-02-07 08:45:35
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