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tmacweiwei新虫 (小有名气)
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关于总能计算
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各位虫友: 最近刚刚学习vasp， 在做过渡金属氧化物磁性材料的 GGA+U 的总能计算，参数都是根据手册设置的，但是弛豫提示成功后还是有以下几个疑问 1：驰豫的总能能否直接使用，是否需要作静态自洽计算或者非自洽计算？ 2：如果初始结构优化时参数设的比较低比如E- cut, 能否通过静态计算提高E- cut来获得准确的能量？K点呢？ 非常感谢！！！ 3：并且第一个电子步总是不收敛，但是第一个离子步开始后就好了，最后也能收敛，这样结果可信吗？ |
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- 性别: GG
- 专业: 金属材料的磨损与磨蚀
- 管辖: 第一性原理
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1、建议额外做自洽，原因如下： (1)、计算过程晶格其实略有变化，理论上截断能以及KPOINTS应当做一次检验； (2)、弛豫过程除了第一步每一步的电子步初猜都是上一步外推外推而来，重新自洽可能不同； (3)、某些半导体优化结构通常会使用展宽，能量可能有偏差； 2、能量和KPOINTS都是如此，对于结构优化而言最好通过收敛性测试，如果计算结果能量和力的偏差比结构优化收敛标准这样的结构优化可能无意义，没准导致结构优化难以收敛；之后使用比这个再高的精度我不反对； 3、重新自洽（离子弛豫的参数即可）并且把force和stress输出看看，看看电子步是不是仍然能够收敛，以及输出的force和stress是否能够落在设定的收敛标准内。个人经验觉得并不是很可靠，如果第一步计算的密度不对，之后产生的force和stress不对，也有1(2)的问题。 |
2楼2016-02-07 02:04:58
