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请教活性碳恢复活化相关机制 已有1人参与
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请教各位虫友, 为了解决厂商活性碳经过一般PU涂布制程后吸附量逐渐降低问题(制程含有Silicone, DMF, Toluene, MEK)，而厂商发现活性碳表面有大量SiO2残留 后学为了不浪费已经这些活性碳，于是提出使用类似制备活性碳的方法中的活化碳化流程如下： A法 失活活性碳+ KOH or NaOH浸泡→ 水洗→烘干→测试比表面积，吸附量(先暂用甲苯当被吸附物) 以及 B法 失活活性碳+ KOH or NaOH浸泡→ 水洗→烘干→800度C氮气煅烧→ 测试比表面积及甲苯吸附量 结果发现，使用icp分析Si能够有效减少，比表面积几乎不变，但是!! 最重要的甲苯吸附量竟然都没增加，让后学很挫折 是解决问题的方向错误吗? 抑或是我的方法有什么瑕疵，想麻烦各位虫友点醒小弟一下了  |
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不好意思不好意思可能是后学解释不清楚： 目前制程是这样: 含有SiO2与甲苯之胶体经150度c烘烤挥发→吸脱附塔活性碳吸收这些气体→ 经过蒸气恢复活性装置→重复吸收气体 厂商给予的要求是，希望能将这些因重复回收再使用的活性碳(中间有经过蒸气设备SSR再活化)，使用A或B法让他恢复成跟全新活性碳一样的吸附能力，所以后学就仿真活性碳制造的流程期，结果使用这两种方法比较却都无法增加他们对于吸附甲苯的能力 其概念发想是想说假如这些再生的活性碳上活性点因不断重复使用而导致破坏或是SiO2含量(量产制程中的胶体有该成分及甲苯)逐渐上升而堵住活性碳孔洞导致吸附面积变小(确实BET比表面积比新碳小，而SiO2也逐渐随着重复利用而上升)，所以想用A跟B法让他增加更多的表面活性点以至于能接近新炭的吸附能力 再请先进不吝指教 |
3楼2016-01-27 21:26:04
zyhou
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2楼2016-01-27 19:26:36
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