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直接带隙与间接带隙？有效期至2..8.10.20
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为什么同一种物质，像CuFeO2等，同时有直接带隙和间接带隙，直接带隙比间接带隙要大，虽然看了些概念，但还是不大懂，那位高手可以指点一下，越详细越好。谢谢 [ Last edited by yingzi0012305 on 2008-10-9 at 08:22 ] |
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yingzi0012305(金币+1,VIP+0):为什么同一种物质，像CuFeO2等，同时有直接带隙和间接带隙?直接带隙比间接带隙要大？百度和你的答案一模一样，不详细
yingzi0012305(金币+1,VIP+0):为什么同一种物质，像CuFeO2等，同时有直接带隙和间接带隙?直接带隙比间接带隙要大？百度和你的答案一模一样，不详细
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直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。 |
2楼2008-10-06 15:42:16
jinhongyan2009
木虫 (小有名气)
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3楼2009-06-02 11:37:37
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