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在Mn掺杂GaN形成的P型半导体引入本征点缺陷会使带隙如何变化呢？ 已有1人参与
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在Mn掺杂GaN形成的P型半导体引入本征点缺陷--Ga空位和N空位会使带隙分别如何变化呢？Ga空位引入受主能级，N空位引入施主能级，Mn掺杂也相当于引入受主能级，但是当Mn掺杂分别与两种空位共存时会使得带隙怎样变化呢？望各位路过的高手不吝赐教 |
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