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求助各位大神，p型GaN的低温PL谱，为何DAP发光能力大于e-A发光能量？
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如题，文献中讲到p-GaN的低温PL谱，如下图 DAP发光是浅施主-Mg受主的跃迁；eA发光是导带电子-Mg受主的跃迁；作者文中讲到两个Mg受主为同一受主能级； 高能端的第一个DAP为零声子线，eA发光与DAP的第一个声子伴线交叠； 那么，既然Mg受主相同，为何eA发光能量会小于DAP发光能量？不解。。。求物理学、晶体学、材料学的大神们指教！  w128h2146221_1450161302_663.png |
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