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独孤立啊

铜虫 (正式写手)

[求助] EIS拟合误差较小但是图形基本不吻合是怎么回事？ 已有2人参与

在用EIS测试双电层电容并通过zsimpwin软件进行拟合的过程中，发现以下几个问题：
1、EIS测试的偏压选的是没有法拉第反应的区间，但是测得的EIS图中出现了不完整的半圆，半圆作为Rct的代表，难道是在测试情况下有电荷转移反应？
2、考虑到没有Rct，选择的等效电路是R（CW），拟合处的偏差比较大（在5*10-2左右），但是拟合的误差比较小（通常3%），不过拟合图形和原图不怎么吻合，不知道所选的这个等效电路是否可以用来拟合我的体系？
3、将等效电路中的C用Q代替后，拟合出来的n值一般在0.99以上，是否可以近似认为是个理想的电容，不需要引入CPE元件呢？
附件里是我的测试图和拟合效果，望大神指点啊

EIS拟合误差较小但是图形基本不吻合是怎么回事？
EIS图.png


EIS拟合误差较小但是图形基本不吻合是怎么回事？-1
拟合图.png
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1楼 2015-12-09 10:44:09
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baidandan

至尊木虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 独孤立啊 at 2015-12-09 21:21:22
首先感谢你对我问题的帮助：
1，我的测试频率是100K-0.1，难道每次测试都要出现一个完整的半圆才可以么？
2，如果半圆作为一个界面存在的反映，那实际的拟合电路时应该把这个半圆当做Rct么？那就是用R（Q（RctW） ...

1：也不是必须要出现完整的半圆，只是我觉得你测双电层电容，这个结果理论上应该出现一个完整的半圆。
2：半圆对应的是一个电阻与一个电容的并联，至于这个电阻是不是电荷转移电阻Rct，要看你的体系在施加电信号后会不会有电化学反应发生；
一般双电层电容对应着Rct，因为楼主之前说你是在不发生电化学反应的区间进行测试的，所以这个不好回答。
对于你的R（Q（RctW））：
看你的EIS图，半圆的左边是过实轴的0点的，所以拟合电路中不需要R（如果有很小的正值，是需要R的，代表物理电阻，简单说是溶液电阻），另外，图中低频区没有扩散部分，W代表warburg阻抗，所以也不需要W；
用Q和R串联即可。
3：拟合后的Y值可以直接作为电容值使用。
供参考!
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独孤立啊
三思而后行
9楼2015-12-10 13:31:06
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独孤立啊

铜虫 (正式写手)
没有大神帮忙么？或者来个虫子交流交流啊，先自己顶
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2楼2015-12-09 15:37:40
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baidandan

至尊木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
独孤立啊: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-12-09 21:17:34
独孤立啊(pengtao1203代发): 金币+2 2015-12-10 00:20:30
1:请问你测试的频率范围是什么？如果低频再低一点是否会出现完整的一个半圆呢？
2:半圆的出现说明体系有一个界面存在，没有电化学反应也会出现的。不一定就是Rct的！
3:拟合必须是图形和拟合误差都好的时候，才算OK的，任何一个差太远都是不行的！
4:如果不是标准的电阻或电容元器件，一般拟合的时候都用CPE即Q，很少用C的。
供参考！

发自小木虫IOS客户端
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三思而后行
4楼2015-12-09 16:11:07
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沉沦不了情

木虫 (正式写手)

JIN CHONG
有没有是电极的制法不同？自己在做的时候也没有半圆那种？楼主找到原因了吗？
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机遇总是垂青于有准备的人。。。
5楼2015-12-09 19:44:50
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