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EIS拟合误差较小但是图形基本不吻合是怎么回事？ 已有2人参与
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在用EIS测试双电层电容并通过zsimpwin软件进行拟合的过程中，发现以下几个问题： 1、EIS测试的偏压选的是没有法拉第反应的区间，但是测得的EIS图中出现了不完整的半圆，半圆作为Rct的代表，难道是在测试情况下有电荷转移反应？ 2、考虑到没有Rct，选择的等效电路是R（CW），拟合处的偏差比较大（在5*10-2左右），但是拟合的误差比较小（通常3%），不过拟合图形和原图不怎么吻合，不知道所选的这个等效电路是否可以用来拟合我的体系？ 3、将等效电路中的C用Q代替后，拟合出来的n值一般在0.99以上，是否可以近似认为是个理想的电容，不需要引入CPE元件呢？ 附件里是我的测试图和拟合效果，望大神指点啊  EIS图.png  拟合图.png |
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2353368564
铁虫 (初入文坛)
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baidandan
至尊木虫 (小有名气)
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【答案】应助回帖
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独孤立啊: 金币+3, ★★★很有帮助 2015-12-09 21:17:34
独孤立啊(pengtao1203代发): 金币+2 2015-12-10 00:20:30
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独孤立啊(pengtao1203代发): 金币+2 2015-12-10 00:20:30
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1:请问你测试的频率范围是什么？如果低频再低一点是否会出现完整的一个半圆呢？ 2:半圆的出现说明体系有一个界面存在，没有电化学反应也会出现的。不一定就是Rct的！ 3:拟合必须是图形和拟合误差都好的时候，才算OK的，任何一个差太远都是不行的！ 4:如果不是标准的电阻或电容元器件，一般拟合的时候都用CPE即Q，很少用C的。 供参考！ 发自小木虫IOS客户端 |
4楼2015-12-09 16:11:07
沉沦不了情
木虫 (正式写手)
JIN CHONG
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5楼2015-12-09 19:44:50