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[求助]GaN掺杂后的一些问题及如何优化求得晶格常数
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我先建立了初级元胞，然后将其超晶胞化，根据掺杂的浓度，将其中某几个原子直接修改元属属性进行进行替位掺杂，请问这样行吗。我此前看见一些人都是在修改晶胞时使用“Make P1”降低其对称性，不过我发现我一旦修改了元属属性就无法使用“Make P1”了，因为它已经被禁用无法点击。怎么回事，是不是我这种掺杂方法错误而导致的？ 另外，例如在替换一个原子的时候，这个替换原子的位置选择在超晶胞中央还是表面，得出的结果会是一样么？ 最后的一个问题，将其掺杂后，晶体的晶格常数肯定会有变化，如何进行几何优化计算其晶格常数？是在Castep模块里面“Setup”项下拉菜单中“Geometry Optimization”的右侧“More”中选择“Optimize Cell”吗？cell optimization选项选fixed basis size还是fixed basis quality比较好？ 虽然接触MS有一段时间了，但因为是一个人在做材料计算，圈子里面没有人可以相互讨论，所以有些问题只能上这里探讨，希望热心朋友能指点一二，不胜感激！ |
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