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金属的层错能与再结晶难易程度之间的联系
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2楼2015-12-05 19:35:18
zhenwuhuang
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3楼2015-12-05 19:35:59
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4楼2015-12-05 20:10:21
abcsunke
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5楼2015-12-06 11:05:53
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层错能越低(如奥氏体)位错扩展宽度越宽，位错越容易缠结，位错密度升高，储存能越高，再结晶驱动力越高，越容易发生再结晶，这一过程一般发生在动态再结晶过程中 发自小木虫IOS客户端 |
6楼2015-12-06 11:30:29
7楼2015-12-06 11:42:32
