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13277942375木虫 (小有名气)
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FET转移特性曲线的测试
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各位虫友好，我最近在做基于石墨烯的FE，测的过程中出现了一些问题，麻烦大神来解答： 1.在不同的栅压下Vds-Ids即输出曲线的斜率应该有变化，并且这些曲线应该是都过原点的，为何我测的时候，曲线的斜率有变化，但是加上栅压之后，输出曲线不过原点了？图1是不同栅压下的测试结果。 2.由于我是用的KEITHLEY2450两台源表联机来测试转移曲线Vg-Ids，需要分别单独设定Vds和Vgs进而来测试Ids和Igs，再作出Vgs-Ids的曲线，我不是太清楚对于石墨烯材料的FET，测试过程中要加的Vg和Vds的范围都是多少？不同的电压范围对测试结果是否有影响？图2是我得出的转移曲线的结果，跟预想的完全不一样，几乎是直线，不知道问题出在哪，求大神指点。 3.我在石墨烯上做了Hall结构，想先在Vg的作用下测试Vg-Rxx的曲线，一般文献中给的图都是在Vg=0附件出现了一个电阻极大值，如图3所示，但是我测的结果也几乎是条直线，问题出在哪？求高人指点啊 本人感激不尽啊  Graph1.png  2.png  3.PNG |
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13277942375
木虫 (小有名气)
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