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lugee

铜虫 (正式写手)

[交流] 【请教】关于晶体缺陷问题....学生问的

学生问我,AgBr是离子导体氧化物还是金属不足氧化物?晕了!请高手从缺陷的角度帮助解答一下,因为从缺陷反应方程式来看,AgBr作为离子导体的缺陷反应方程式与金属不足的方程式是一样的,都有金属空位与电子孔穴出现,不明白AgBr中的金属空位是怎么出现的?

[ Last edited by FLY_Phoenix on 2008-9-18 at 00:25 ]
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hanchenhua

银虫 (小有名气)

★ ★
FLY_Phoenix(金币+2):欢迎交流~
如果只形成空位而不形成等量的间隙原子,这样形成的缺陷(空位)便称为肖脱基缺陷(Schottkydisorder)。如果同时形成等量的空位和间隙原子,则所形成的缺陷(空位和间隙原子对)称为弗兰克尔缺陷(Frenkeldisorder)。对于金属晶体来说,肖脱基缺陷就是金属离子空位,而弗兰克尔缺陷就是金属离子空位和位于间隙中的金属离子。对于离子晶体来说,情况稍微复杂一点。由于局部电中性的要求,离子晶体中的肖脱基缺陷只能是等量的正离子空位和负离子空位。又由于离子晶体中负离子半径往往比正离子大得多,故弗兰克尔缺陷只可能是等量的正离子空位和间隙正离子。弗兰克尔缺陷则主要出现在AgCl和AgBr中。
     在实际晶体中,点缺陷的形式可能更复杂。例如,即使在金属晶体中,也可能存在两个、三个甚至多个相邻的空位,分别称为双空位、三空位或空位团。但由多个空位组成的空位团从能量上讲是不稳定的,很容易沿某一方向“塌陷”成空位片(即在某一原子面内有一个无原子的小区域)。同样,间隙原子也未必都是单个原子,而是有可能m个原子均匀地分布在。个原子位置的范围内(m>n),形成所谓“挤塞子"(crowdion),如图4—2所示。

摘自http://www.buildbook.com.cn/eboo ... 007/B10014842/4.htm

[ Last edited by hanchenhua on 2008-9-17 at 22:04 ]
Never give up! Move!
2楼2008-09-17 22:02:04
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hanchenhua

银虫 (小有名气)

所以,AgBr应该是离子导体氧化物.
Never give up! Move!
3楼2008-09-17 22:05:43
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lugee

铜虫 (正式写手)

谢谢!那么在AgBr中缺陷方程中体现的是阳离子空位与电子孔穴是怎么回事呢?
4楼2008-09-18 08:46:54
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yupingli123

金虫 (正式写手)

我的理解是:AgBr本身是离子晶体(为离子导体),但由于存在缺陷(阳离子空位),所以形成了金属不足型氧化物。缺陷方程式中还含电子空穴,所以晶体中除了离子迁移外,还有电子迁移的可能性,具有半导体的性质(P型半导体)。
5楼2008-10-30 19:24:00
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