| 查看: 846 | 回复: 1 | |||
[交流]
AFORS-Het中非晶硅的缺陷设置问题 已有1人参与
|
| 在Afors-Het中，一般将非晶硅的缺陷设置为带尾和双高斯的缺陷，向高手请教一下，这个带尾的宽度我该如何设置，并且高斯峰的峰位我该如何确定，它们和掺杂浓度与缺陷态密度是否存在什么关联。我自己感觉，是不是P/I/N型的双高斯的峰位是不是都确定的，因为Si-，Si0，Si+不是在非晶材料具有确定的能级吗？它的高斯峰的宽度又如何呢 |
回复此楼» 猜你喜欢
面上提前没消息，有中的吗
已经有12人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有8人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有6人回复
-
售一区SCI文章T0P，我:8O.551.O54,科目全,可十急
已经有8人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有9人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有8人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有9人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有10人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2017-04-07 00:11:55
50