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kbfans

新虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 212.9
帖子: 22
在线: 16.9小时
虫号: 2346109
注册: 2013-03-14
专业: 电力系统

[交流] AFORS-Het中非晶硅的缺陷设置问题已有1人参与

在Afors-Het中，一般将非晶硅的缺陷设置为带尾和双高斯的缺陷，向高手请教一下，这个带尾的宽度我该如何设置，并且高斯峰的峰位我该如何确定，它们和掺杂浓度与缺陷态密度是否存在什么关联。我自己感觉，是不是P/I/N型的双高斯的峰位是不是都确定的，因为Si-，Si0，Si+不是在非晶材料具有确定的能级吗？它的高斯峰的宽度又如何呢

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1楼 2015-11-25 15:16:47

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

葛加伟

新虫 (小有名气)

应助: 1 (幼儿园)
金币: 770.3
散金: 25
红花: 1
帖子: 221
在线: 69.4小时
虫号: 6253797
注册: 2017-04-06
性别: GG
专业: 半导体物理

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

你好，这些参数如何找啊

发自小木虫Android客户端

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