| 查看: 792 | 回复: 1 | |||
[交流]
AFORS-Het中非晶硅的缺陷设置问题 已有1人参与
|
| 在Afors-Het中，一般将非晶硅的缺陷设置为带尾和双高斯的缺陷，向高手请教一下，这个带尾的宽度我该如何设置，并且高斯峰的峰位我该如何确定，它们和掺杂浓度与缺陷态密度是否存在什么关联。我自己感觉，是不是P/I/N型的双高斯的峰位是不是都确定的，因为Si-，Si0，Si+不是在非晶材料具有确定的能级吗？它的高斯峰的宽度又如何呢 |
回复此楼» 猜你喜欢
面上可以超过30页吧？
已经有13人回复
-
网上报道青年教师午睡中猝死、熬夜猝死的越来越多，主要哪些原因引起的？
已经有10人回复
-
为什么中国大学工科教授们水了那么多所谓的顶会顶刊，但还是做不出宇树机器人？
已经有13人回复
-
什么是人一生最重要的？
已经有8人回复
-
版面费该交吗
已经有17人回复
-
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层，如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有19人回复
-
【博士招生】太原理工大学2026化工博士
已经有8人回复
-
280求调剂
已经有4人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2017-04-07 00:11:55