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AFORS-Het中非晶硅的缺陷设置问题 已有1人参与
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| 在Afors-Het中，一般将非晶硅的缺陷设置为带尾和双高斯的缺陷，向高手请教一下，这个带尾的宽度我该如何设置，并且高斯峰的峰位我该如何确定，它们和掺杂浓度与缺陷态密度是否存在什么关联。我自己感觉，是不是P/I/N型的双高斯的峰位是不是都确定的，因为Si-，Si0，Si+不是在非晶材料具有确定的能级吗？它的高斯峰的宽度又如何呢 |
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