| 查看: 784 | 回复: 1 | |||
[交流]
AFORS-Het中非晶硅的缺陷设置问题 已有1人参与
|
| 在Afors-Het中，一般将非晶硅的缺陷设置为带尾和双高斯的缺陷，向高手请教一下，这个带尾的宽度我该如何设置，并且高斯峰的峰位我该如何确定，它们和掺杂浓度与缺陷态密度是否存在什么关联。我自己感觉，是不是P/I/N型的双高斯的峰位是不是都确定的，因为Si-，Si0，Si+不是在非晶材料具有确定的能级吗？它的高斯峰的宽度又如何呢 |
回复此楼» 猜你喜欢
博士延得我，科研能力直往上蹿
已经有7人回复
-
退学或坚持读
已经有27人回复
-
面上基金申报没有其他的参与者成吗
已经有5人回复
-
有70后还继续奋斗在职场上的吗？
已经有5人回复
-
遇见不省心的家人很难过
已经有22人回复
-
多组分精馏求助
已经有6人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2017-04-07 00:11:55