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求助 半导体材料高温岩盐结构的模拟计算
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老板给了篇文章做背景研究材料AgSbTe2 文章里用的该材料结构是cubic 即常温下六方晶系高温变岩盐结构后迅速降温 维持cubic结构 研究其常温的性质 可是做了参杂后的cubic结构在vasp里面算出来没有band gap也就是变成了导体 仔细研究论文说是变成cubic以后Ag和Sb会随机占据相同的晶格位置 然而老板让我用的是均匀分布 也就是让Ag在八个顶点和任意两个对立面 Sb则在剩下的四个对立面 求问这样算disorder distribution么 发自小木虫IOS客户端 |
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