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feiyueqianshan

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】Raman强度的问题。急!

我们做过一次重离子辐照半导体材料的实验,然后对其进行Raman测量,测量之后想对其Raman谱的强度作出解释,我想问一下Raman强度主要和那些因素有关?我们用的材料是GaN,在文献上看到了两种解释,一种是跟辐照损伤有关系,因为辐照损伤越大,激发光子在晶体内碰撞次数越多,Raman散射越强;另一种说法是和晶体内的化学键的结构有关系,导致产生Raman散射的结构越多,则Raman散射越强。我们的测量结果似乎同时接受两种说法。但是又不能按照一种说法全部给出解释。我想问一下有没有人对Raman比较熟,或者碰到过类似的问题,能不能帮忙解决一下这个问题?由于是新手,很不好意思不能提供金币。先谢谢了!!!

[ Last edited by FLY_Phoenix on 2008-9-12 at 23:12 ]
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