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表面模型的若干疑惑已有2人参与
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我看的几篇研究表面结构的文章，建的表面slab模型都是固定中间几层原子模拟体相，然后弛豫上下表面的原子，而一般做吸附的都是固定下面的所有原子然后只弛豫上表面的，对此我有几点疑惑： ①固定中间弛豫两边的这种模型需不需要上下表面是一样的，或者说是对称的，（文献这点讲的不是很清楚）？ 因为如果不一样的话，对于比较复杂的体系需要考虑终端原子的，那这个表面终端怎么算，是用上表面的还是下表面的，我感觉这个很矛盾，除非上下表面结构一样就不存在这个问题？ ②固定下面的几层而弛豫上面的这种模型也是可以模拟真实表面的话，那为什么还要费劲固定中间弛豫两边呢？，是否这种模型还需要考虑其他因素，比如之前有看到说需要用氢键饱和最下端的原子，这点不太清楚，请求解答？ ③这两种建模方式都各自有什么优势或特点么？  |
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16楼2015-11-16 20:41:59
【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
Am Melody: 金币+10, ★★★很有帮助, 非常感谢 2015-11-10 21:49:04
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2015-11-11 08:01:49
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①固定中间弛豫两边的这种模型需不需要上下表面是一样的，或者说是对称的，（文献这点讲的不是很清楚）？ 因为如果不一样的话，对于比较复杂的体系需要考虑终端原子的，那这个表面终端怎么算，是用上表面的还是下表面的，我感觉这个很矛盾，除非上下表面结构一样就不存在这个问题？ > 這樣的思考是相當正確地 "固定中间弛豫两边" 的模型通常會是上下對稱 可以是鏡面對稱(mirror symmetry)，也可以是鏡面反演對稱 (mirror-inverse symmetry) 對大多數的系統 (層數夠厚的條件下) 我想這兩者結果是一樣的 ②固定下面的几层而弛豫上面的这种模型也是可以模拟真实表面的话，那为什么还要费劲固定中间弛豫两边呢？，是否这种模型还需要考虑其他因素，比如之前有看到说需要用氢键饱和最下端的原子，这点不太清楚，请求解答？ > "固定原子" 這個動作是為了要 "模擬原子在 bulk 的狀態" 一般做表面計算 層後頂多七八層，了不起做到十幾層，計算量就有夠大的 十幾層的表面模型，算下?恚膊贿^才 2~3 nm 的厚度 跟 "真�?表面" 還是相差甚遠 所以表面計算會把某些原子固定在其 bulk 狀態下的位置 以模擬表面厚度不足的缺憾 ("用氢键饱和最下端的原子"，這動作也是同樣的目地) ③这两种建模方式都各自有什么优势或特点么？ > 單邊表面模型 * 可用於計算表面動態性質，比方表面游離 (surface diffusion)， 吸附或脫附反應 (adsorption or desorption reaction)，這是雙邊表面模型很難處理的計算 * 可減少計算量，雙邊表面需要的層厚通常會較厚 雙邊表面模型 * 計算電子結構 (如表面態計算，表面能帶計算)時，可以得到較準確的結果 因為單邊表面計算時，只有單邊是你想要研究的表面 另一邊是"假的"，因此在考慮表面態的計算時，這個"假的"表面是 有可能 會造成問題 |
2楼2015-11-10 20:19:08
3楼2015-11-10 21:52:02
4楼2015-11-10 22:08:54