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暴风鸭

新虫 (初入文坛)

[求助] 硅纳米基地的图形转移(翻膜)问题。 已有2人参与

以前我们组是用PMMA溶液转移(翻膜)微米级的硅片表面(互补)图形。现在我做了个纳米级的腐蚀。发现转移不了了。黏附的过于紧密。是否该用别的材料PDMS来转移。能转移得了吗?需不需对硅做疏水处理,对图形转移有什么影响吗?
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bluesky7810

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2015-10-21 17:02:21
可以在硅表面做防粘处理,比如很薄的teflong,金刚石等等

我想用光刻和干法蚀刻的方法来制作微桥,其中有一步骤表面处理是在金薄膜上面放teflong来确保薄膜不被热的KOH溶液腐蚀,请问您是怎么将teflong转移到薄膜上呢?
xw_ustb@126.com,我邮箱,希望和您深入探讨
3楼2015-11-06 11:10:07
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

可以在硅表面做防粘处理,比如很薄的teflong,金刚石等等
2楼2015-10-21 17:02:21
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by bluesky7810 at 2015-11-06 11:10:07
我想用光刻和干法蚀刻的方法来制作微桥,其中有一步骤表面处理是在金薄膜上面放teflong来确保薄膜不被热的KOH溶液腐蚀,请问您是怎么将teflong转移到薄膜上呢?
xw_ustb@126.com,我邮箱,希望和您深入探讨...

确保KOH不腐蚀的话,不用teflon,用Protek。当然PECVD的SiO也是可以的,但是要看你的图形。
wangyx@memstools.cn
4楼2015-11-06 12:03:23
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