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glorylin

金虫 (小有名气)

[求助] 为什么SiO2用XPS分析图计算出的Si/O比是1比1 已有1人参与

我做的样品是介孔二氧化硅。照理说应该硅氧比应该是1:2。但是我做了XPS分析,根据图上计算出来的硅氧比是0.94,接近1:1。这是为什么?我的样品事先用Ar+刻蚀了5min。杂质应该没有影响了吧。你们有做过二氧化硅样品吗,做出来的硅氧比是不是接近1:2吗?
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glorylin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by 杨子煜 at 2015-11-01 14:30:40
结果跟组成肯定有关系啊。但大多数不是严格化学比,从测试的各种物质的结果来看,原因就是上边说的
...

多谢,我再请教个问题。我的薄膜跟基底SiO2比起来就是多了C元素。本来想靠C证明我的薄膜成功修饰到了基底SiO2上了,但是发现没修饰薄膜的SiO2也能打出C元素,还很大,跟修饰了薄膜的样品上的C峰几乎一样大。老师说是污染或者吸附CO2造成的,那这样来说XPS的C峰基本没什么用?有什么解决办法没?
10楼2015-11-01 14:57:07
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莱古拉斯

木虫 (小有名气)

制备xps样品的衬底是什么?

发自小木虫Android客户端
我的爱天下不止有风吹过
3楼2015-10-16 15:59:53
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glorylin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 莱古拉斯 at 2015-10-16 15:59:53
制备xps样品的衬底是什么?

氧化铟锡电极。你有做过SiO2之类的XPS吗?谢谢
4楼2015-10-16 21:13:54
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懒羊羊450

新虫 (初入文坛)

可以请问一下si/o比例在XPS图中是怎么计算的么?
5楼2015-10-25 19:31:06
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