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关于 复合对 热电材料性能影响的问题 已有2人参与
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各位做热电材料的虫友，请教一个问题：有没有做过复合对热电性能的影响研究的，我现在在做Ca3Co4O9/Bi2Ca2Co2Oy 复合材料，但是不是很清楚其机理，麻烦知道的指教一下哇 ，感谢 |
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9楼2015-12-03 17:43:05
穿越千年
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【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
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其实这也就是一种掺杂。我给你提供一篇参考文献，GeTe掺Bi2Te3，希望有帮助： Wu, D., et al. (2014). "Origin of the High Performance in GeTe-Based Thermoelectric Materials upon Bi2Te3 Doping." J Am Chem Soc 136(32): 11412-11419. As a lead-free material, GeTe has drawn growing attention in thermoelectrics, and a figure of merit (ZT) close to unity was previously obtained via traditional doping/alloying, largely through hole carrier concentration tuning. In this report, we show that a remarkably high ZT of approximately 1.9 can be achieved at 773 K in Ge0.87Pb0.13Te upon the introduction of 3 mol % Bi2Te3. Bismuth telluride promotes the solubility of PbTe in the GeTe matrix, thus leading to a significantly reduced thermal conductivity. At the same time, it enhances the thermopower by activating a much higher fraction of charge transport from the highly degenerate Sigma valence band, as evidenced by density functional theory calculations. These mechanisms are incorporated and discussed in a three-band (L + Sigma + C) model and are found to explain the experimental results well. Analysis of the detailed microstructure (including rhombohedral twin structures) in Ge0.87Pb0.13Te + 3 mol % Bi2Te3 was carried out using transmission electron microscopy and crystallographic group theory. The complex microstructure explains the reduced lattice thermal conductivity and electrical conductivity as well. |
2楼2015-10-08 16:29:32
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我再给你提供一张图片，描述复合材料的： 更多的参考文献： [92] J.O. Sofo, G.D. Mahan, Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 2690. [93] D.A. Broido, T.L. Reinecke, Phys. Rev. B 51 (1995) 13797. [94] T.C. Harman, D.L. Spears, M.J. Manfra, J. Electron. Mater. 25 (1996) 1121. [95] L.D. Hicks, T.C. Harman, X. Sun, M.S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 53 (1999) R10493. [96] T.C. Harman, P.J. Taylor, D.L. Spears, M.P. Walsh, J. Electron. Mater. 29 (2000) L1. [97] T.C. Harman, P.J. Taylor, M.P. Walsh, B.E. LaForge, Science 279 (2002) 2229. |
3楼2015-10-09 16:41:04
4楼2015-10-22 17:02:40
