| 查看: 1689 | 回复: 1 | ||
[求助]
请问各位大神。SCLC测迁移率时偏压Vbi怎么确定?
|
| 因为我要单独测受体材料的电子迁移率。设计的器件结构是ITO/PEDOT/受体/LiF/AL.可是文献中对于偏压Vbi的确定都很模糊。。或者是我自己没有看懂。。请教大神们解惑。 |
» 猜你喜欢
石墨催化极板本征电化学表征:EIS 与 CV 测试的核心参数解析
已经有1人回复
硼掺杂石墨阴极的电化学阻抗EIS表征与界面阻抗分析
已经有1人回复
分析化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有128人回复
招生2027年物理化学专业考核制博士(吉林大学)
已经有29人回复
【2027级博士申请】双非硕・一作 SCI 3 篇(2篇CEJ 一区 Top)储能方向
已经有15人回复
石墨电催化体系反应动力学:污染物浓度与反应速率的关联规律
已经有0人回复
海南大学杨金霖老师招收2027级博士生(储能电池方向)
已经有5人回复
氮掺杂石墨阴极制备:掺杂量对氧还原活性的调控规律
已经有0人回复
电催化CO2还原
已经有1人回复
铁基负载石墨催化极板:金属活性位点的催化增效机制
已经有0人回复
石墨电催化系统参数匹配原则:水质、电流与极距的协同设计
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2673756335
铁虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 258.4
- 红花: 3
- 帖子: 158
- 在线: 23.8小时
- 虫号: 2130678
- 注册: 2012-11-16
- 专业: 半导体材料
2楼2019-01-08 15:07:36










回复此楼