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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 关于SiO2的孔道产生问题
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补苴罅漏

金虫 (初入文坛)

[求助] 关于SiO2的孔道产生问题

最近，我用TEOS喝氨水在载体上包覆SiO2，从TEM上看，SiO2均匀致密，不存在任何孔道，查阅一些文献，皆对其进行了高温煅烧，故向诸高手求助：多空SiO2与高温煅烧的联系。
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1楼 2015-09-16 08:18:15
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jj01502

金虫 (初入文坛)
想要孔道的话应该加入p123等表面活性剂吧

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3楼2015-09-16 08:55:46
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xuezhonglang

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
煅烧去除多余的物质和基团

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蛋求一败，才是牛X
2楼2015-09-16 08:27:07
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补苴罅漏

金虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by jj01502 at 2015-09-16 08:55:46
想要孔道的话应该加入p123等表面活性剂吧

用过CTAB,但基本毫无作用。
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4楼2015-09-16 08:59:37
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补苴罅漏

金虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by xuezhonglang at 2015-09-16 08:27:07
煅烧去除多余的物质和基团

请问能详细解读一下吗？
如煅烧温度多少，去除那些物质。
谢谢
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5楼2015-09-16 09:02:23
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