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davidbear910木虫 (正式写手)
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[求助]
如何测量半导体纳米材料（例如量子点）的价带与导带 已有5人参与
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本人做生物传感器的。最近接触到一些光致电化学和电致化学发光的领域。但是大部分文献中直接标明了所使用的半导体纳米材料，比如CdTe量子点，TiO2等的CB与VB。然后由两者相减得到禁带宽度。也查阅了很多文献，知道有些方法可以测量禁带宽度，然后算出导带和价带能量。但是没有帖子说明具体的操作步骤与所用公式。使得本人在这方面非常苦恼。而且有些朋友告诉我，测紫外可见的方法只适用于固体粉末材料。对于量子点这一类溶于水中的纳米材料也不知怎么测量。故此希望了解这方面的虫子能够不吝赐教。最好把响应的文献或者具体的操作步骤告知一下。万分感谢！ rt.png |
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 纳米材料的明天 | 物质科学表征 |
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davidbear910
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6楼2015-09-18 21:19:58
【答案】应助回帖
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davidbear910(穿越千年代发): 金币+20, 楼主长期不处理悬赏金币，版主根据回答的认可度代为分配 2015-10-05 10:42:22
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davidbear910(穿越千年代发): 金币+20, 楼主长期不处理悬赏金币，版主根据回答的认可度代为分配 2015-10-05 10:42:22
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刚好在做这方面的功课，小生就抛砖引玉。 看看各位大神有什么方法，大家交流交流嘛。。。 ---------------------------分割线-------------------------- 测量禁带宽度 测量禁带宽度 方法 1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值 λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。 方法 2：利用 (Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。 方法 3：利用 (αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α 与 A 成正比。 以上都是别人整理的，没有找到出处。所以感谢那些愿意分享的人们，谢谢！ 至于禁带还有导带，我下午再回来回答，要去吃饭了。 题主加油！ |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 光催化剂禁带宽度值Eg计算方法.pdf
2015-09-16 11:19:20, 37.9 K
2楼2015-09-16 11:20:31
davidbear910
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