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[交流]
请教一下关于外延生长的概念问题。
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和各位请教一个问题： 一般而言，按照衬底和薄膜错配度的差别，可以将薄膜分为同质外延和异质外延两类生长过程。生长方式有台阶生长和2维晶核等几种方式。 按照定义，外延生长应该是衬底与薄膜整体上保持一致或相近的晶体取向。 那么，当薄膜和衬底的错配度相差很大（>10%）时，薄膜生长后与衬底间并没有形成明显的取向关系，气-固界面的形核-生长行为还能否称为“外延生长”呢？是否有相关的术语来定义这个过程吗？ 还是应该称为“沉积”过程更合适？ 是否有详细解释“外延形核”和“沉积形核“生长过程区别的相关书籍，可以推荐一下吗？ 先谢谢各位！  |
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