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绝对单层石墨烯的大面积合成
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小弟正准备合成石墨烯，做一些器件，导师让搜一些文献。知识海洋中，偶尔发现一篇亮点文献，诸如大海中发现了一个灯塔，照亮了我实验的方向。有好东西，不敢私藏，拿出来给大家共享。 石墨烯合成的难题：自从2009年Ruoff组在science上介绍了铜箔基底上生长大面积单层石墨烯的文章 （见附件02.铜基底生长大面积单层石墨烯）。在铜基底上生长单层石墨烯的文章有如雨后春笋，引用ruoff2009 文章的工作大于5000件。然而，其工作的缺点在于，单层石墨烯所占总面积的比率为95%，其他的不纯度5%为双层和寡层。然而，科研工作者们，一直没有很好的解决这个问题。 对于难题的攻克：大面积绝对单层的突破，在今年的5月份得到发布，见附件文章（01.大面积绝对单层石墨烯的CVD合成）。该工作发现，这些两层或寡层的石墨烯不纯（5%）在氢气热退火的步骤中就已经形成了（石墨烯化学气相沉积，通常包括两个步骤，也就是氢气热退火，以及含碳前驱体反应沉积石墨烯）。因为，为了消除这些不纯，作者提出了用空气灼烧不纯的概念，即在石墨烯不纯（碎片）形成后，引入微量空气，进行高温灼烧。因此达到了清洁铜箔表面的效果。  在此之后，通过一个普通的化学气相沉积，作者实现了绝对单层石墨烯的合成（有原子力显微镜，扫描电镜，拉曼mapping, 透射电镜等多种手段加以佐证）。在电子支撑材料上，展示了转移后的接近2cm*1.5cm尺寸的大面积石墨烯照片。 此种合成方法，适宜于初学CVD制备石墨烯的同学，以及做石墨烯中等水平的同学学习了。 扩展阅读：该研究团队，还利用这个干净的铜基底，利用dip coating的方法，在表面吸附了一些有机溶剂分子（例如酒精，异丙醇，丙酮等等），然后，通过一步氢气热退火，来获取了高质量的石墨烯flake （碎片）阵列。见附件文章：（03. 一步法利用吸附的有机分子生长高质量的石墨烯） |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 01.大面积绝对单层石墨烯的CVD合成.pdf
- 附件 2 : 01.大面积绝对单层石墨烯的CVD合成_ESI.pdf
- 附件 3 : 02.铜基底生长大面积单层石墨烯.pdf
- 附件 4 : 02.铜基底生长大面积单层石墨烯ESI.pdf
- 附件 5 : 03._一步法利用吸附的有机分子生长高质量的石墨烯.pdf
- 附件 6 : 03._一步法利用吸附的有机分子生长高质量的石墨烯ESI.pdf
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68楼2018-05-23 14:14:04
5楼2015-09-11 14:05:28
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月牙儿的微笑: 金币-50, 屏蔽内容, 违规存档, 本版不允许发广告贴，扣除50金币，记录违规存档一次 2015-09-11 21:19:38
月牙儿的微笑: 金币-50, 屏蔽内容, 违规存档, 本版不允许发广告贴，扣除50金币，记录违规存档一次 2015-09-11 21:19:38
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6楼2015-09-11 17:32:04
10楼2015-09-12 03:45:30
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2015-09-11 08:27
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lwg33楼
2015-09-11 09:54
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蜗牛梦4楼
2015-09-11 10:39
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zhaocl8楼
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罗纳尔多9楼
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马踏冰河13楼
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shiyunbuji14楼
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