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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 基础物理 » 大家来谈谈半导体材料的载流子寿命与什么因素有关
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senner

银虫 (小有名气)

[求助] 大家来谈谈半导体材料的载流子寿命与什么因素有关 已有4人参与

本人是做化学的，从文献中得到的结果，貌似是原子半径大的半导体电子-空穴寿命长，比如CIGS, GaAs, CH3NH2PbI3等。
想问下载流子寿命究竟受哪些因素影响呢，如何能找到载流子寿命长的半导体。
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真相会在辩驳中越来越明晰，欢迎讨论
1楼 2015-08-18 17:44:47
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ftfxiaoyu

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

文献中载流子寿命指的是光照下非平衡少子的寿命，它和材料本体的多子会复合。因此，多子浓度越高，少子的迁移率越小，寿命越短。当然，若材料中有深能级，还有对电子和空穴俘获的问题。
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9楼2015-11-11 16:57:05
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scpzfeng

捐助贵宾 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
用瞬态吸收光谱和时间分辨荧光光谱来测荧光寿命 检测，对比
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2楼2015-08-19 08:57:59
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senner

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by scpzfeng at 2015-08-19 08:57:59
用瞬态吸收光谱和时间分辨荧光光谱来测荧光寿命 检测，对比

我是想问下载流子寿命的影响因素，
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真相会在辩驳中越来越明晰，欢迎讨论
3楼2015-08-19 11:31:41
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知不道小孩

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
senner: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-08-19 14:27:56
电子-空穴复合是概率的问题，一般来说，寿命取决于复合几率和材料中的载流子浓度，至于你说的原子半径大的，寿命长，一般来讲寿命和原子半径不存在直接关系，如果要解释的话，原子半径大，意味着在材料中相同数量的载流子对应的浓度会更小，复合的几率就相应降低，而且半径大的原子对自身电子的作用力会更小，同样会减弱电子空穴复合
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4楼2015-08-19 12:08:01
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