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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 光电池和光电化学 » LED 磊晶晶片，p-GaN加Mg,为什么ESD会变好
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yigeren89

新虫 (正式写手)

[求助] LED 磊晶晶片，p-GaN加Mg,为什么ESD会变好 已有2人参与

我们是做LED磊晶生产的，晶片ESD不好，从元素分析看P-GaN Mg较少，在P-GaN增加Mg含量后ESD变好，为什么？变好的原理？
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1楼 2015-08-12 23:01:34
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yangqiaode

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

LED ESD有2个方向：第一个为电流的扩展，第二个为电容的大小。
电容越大，其ESD越好。
P型和N型各看作一个电击板，电容增加就需要1减小距离d 2增加面积S
一般PGAN的Mg窗口非常大，你的PGAN的mg参估计低了很多。
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2楼2015-08-17 14:11:58
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gold1987

木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

你提的问题太笼统了。是哪一层p-GaN层的Mg增多导致ESD增加呢？Mg增多是唯一变化的因素吗？有没有考虑厚度的影响。一般来说，Mg掺杂的窗口很大，但是ESD对p-GaN的厚度很敏感。
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3楼2015-08-25 22:53:46
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