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各种半导体能带分布图文献总结
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很多半导体材料的功能研究都涉及到它们的能带位置（包括价带顶和导带底），特别是它们的光学性能。故检索整理了一些含有半导体能带位置列表的文献，希望对相关的虫子科研能有所帮助。 第一篇是将后面两篇文献中列出的金属氧化物和硫化物的能带位置部分提取出来列成表，方便大家直接查找。 第二篇文献是Materials Science and Engineering上的一篇综述，列举了很多氧化物的物理性质和结构参数，其中Table 6、Table 8这两张表列出了它们的能带大小. 第三篇文献是American Mineralogist上的一篇综述，强烈推荐大家好好看看。作者先是从半导体与溶液接触界面开始介绍，给出了导带底、价带顶、费米能级、真空能级等概念的物理定义，然后给出了能带的测定或确定方法，最后作者列出了大约160种常见的金属氧化物和硫化物的能带位置。 附图是第三篇文献中能带列表的一个截图，让大家有直观的了解。  图片1.png [ Last edited by clay8519 on 2015-8-13 at 16:21 ] 刚刚很多人说第三篇文献是乱码，我重新上传，看看是否正常[ Last edited by clay8519 on 2015-8-17 at 20:32 ] 不好意思，附件3不知为啥是乱码，故重新上传了附件4，这次是正常的。 [ Last edited by clay8519 on 2015-8-17 at 20:35 ] |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : band_gap_of_oxide_and_sulfide.pdf
- 附件 2 : band_gap_of_oxide.pdf
- 附件 3 : band_gap_of_sulfide.pdf
- 附件 4 : band_gap_of_sulfide.pdf
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