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硅光栅吸收率出现峰值的原因是什么 已有1人参与
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| 看到一些文献，硅光栅的吸收率在一些波长下会出现峰值，比如一维硅光栅，脊背高为50nm，脊背宽为80nm，周期为100nm，在550nm波长附近有一个吸收率峰值，这是什么原因啊，我觉的不是surface plasmon polariton（有金属类材料参与才可以激发）， Rayleigh-Wood anomaly也不太可能啊，microcavity effect 有点可能，但是通过计算磁场，在550nm处的磁场较强的区域不在光栅凹槽里而是在光栅脊背里，这也不符合microcavity effect啊，请各位大神赐教. |
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