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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

[求助] 对齐缺陷和体相下的态密度

大家好,经常看到文献里把有缺陷的DOS和没缺陷的DOS用半芯态作参考点,
并以共同的E_feimi=0去对比,我不太清楚,在VASP中如何具体的去对齐?
比如某个半芯态在没缺陷和有缺陷时分别位于各自Fermi能级下50和51 eV处,
如何操作才能正确的对比两个DOS?谢谢!
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