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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » ICP & RIE 干法刻蚀
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匿名

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薄膜制备与特性

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1楼 2015-08-04 12:01:08
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千里一飘

银虫 (初入文坛)
你好，请问你的等离子刻蚀实验是在哪做的？
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唯大英雄真本事，是真名士自风流！
2楼2016-03-23 16:17:54
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3楼2016-05-17 18:54:30
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4楼2016-05-17 18:55:47
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)
完全有可能。等离子体轰击的作用还是很强烈的。无关的原子也会被轰击开。你精良用小的ICP功率。
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我们坚持做一件事情，并不是这样做了有效果，而是坚信，这样做了是对的。
5楼2016-05-18 21:21:00
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6楼2016-05-19 11:09:40
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volare20

金虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 小小铁虫 at 2016-05-19 11:09:40
谢谢。我已经用其他办法了。...

最后面ITO用什么条件刻蚀比较好哈？
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当脚踏实地，而仰望天空
7楼2016-09-22 21:03:01
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1024247900

木虫 (正式写手)
物理轰击选择比相当差，除非你对刻蚀侧壁形貌有要求，否则轰击特气越少越好，适当添加可以调节均匀性，增加太多选择比变差，也就是说Ar对衬底材料也会有相当的破坏。你需要根据ITO薄膜和 A 薄膜来进行选择特气种类，特别是刻蚀选择比和均匀性。我不知道你的材料是什么，只能说这么多了，具体情况具体分析吧，你需要考虑刻蚀选择比和均匀性。
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为了梦想加油！
8楼2017-09-17 11:04:08
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