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zhanggs

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] Ge/Si (001) 上生长时,量子点中为什么陡的晶面有利于应变松驰

本人为量子点材料外行。最近在读文献时,常看到当Ge量子点长到一临界体积时,会引入更陡的晶面(steeper facets), 从而使形貌从pyramid 变为dome。请高人解释一下:为什么更陡的晶面有利于应变松驰 (The steeper facets relax strain more effectively)?
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