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VASP计算带电点缺陷形成能时，如何对electrostatic interaction修正
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| 如题，我最近正在用VASP计算带电点缺陷的形成能，但是在形成能公式Ef [Dq ] = Etot[Dq ] − Etot[bulk] +ini (Ei + μi )+q(EF − VBM) + Ecorr里有一个静电相互作用的修正项Ecorr，我已查阅相关文献Fully Ab Initio Finite-Size Corrections for Charged-Defect Supercell Calculations，但还是不知如何计算，请懂得的大侠不吝赐教！最好能写出用VASP计算的每一个环节的详细步骤以及每一步的目的，关键点。百拜！ |
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2015-07-30 18:48:57, 183.36 K
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 带电掺杂体系形成能 |
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