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张宇琴

银虫 (小有名气)

[交流] 模型讨论

大家好,请教个问题,
1.  同样的材料可以作为稀磁半导体,可以作为激光晶体,比如过渡金属掺杂II-VI族半导体,那我的问题是:他们之间的差别是什么呢?是掺杂离子的浓度吗?
2.  第一性原理计算,利用超晶胞的方法模拟掺杂晶体,晶胞的大小决定掺杂浓度,那我的问题是:这个模拟的浓度是不是和实际的浓度是可比拟的?(浓度小的时候建立相应的晶胞)   能不能用比较小的晶胞代替实际很低的浓度?(这个说法来源于,晶体场效应可能是周围基层原子的局域效应)
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张宇琴(金币+1): 谢谢参与
2楼2015-07-30 10:22:34
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张宇琴(金币+1): 谢谢参与
3楼2015-07-30 10:29:14
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张宇琴(金币+1): 谢谢参与
4楼2015-07-30 10:47:23
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5楼2015-07-30 10:58:45
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6楼2015-07-30 11:27:33
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funinsemi

新虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
最近使用VASP執行檔(5.2.11)?K搭配MBJ的potential,處理塊材(Ge)材料層數變化對Workfunction的影響。透過網上載下?淼男cript(ave-mesh.x)處理LOCPOT輸出檔,發現層數高達60層時,Workfunction在Vacuum區域有幾個數據點出現嚴重的錯誤,判斷有可能是script的bug所導致
有吾人對此問題有經驗?
請各位高手指點迷津
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1.jpg

7楼2015-07-31 00:09:24
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